Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
Speicher
Speicher,1) allg.: Lagerhaus, Vorratshaus.
2) Datenverarbeitung: Funktionseinheit eines Computers, die Daten (Daten-S.) und Programme (Programm-S.) aufnimmt und später wieder bereitstellt. Heutige S. arbeiten ausschl. digital, d. h., sie bestehen aus einer Vielzahl einzelner S.-Elemente, von denen jedes nur zwei mögl. Zustände (0 und 1) annehmen und damit 1 Bit speichern kann. Um beim Schreiben (Einspeichern) oder Lesen (Abrufen) von Informationen gezielt auf bestimmte S.-Elemente bzw. Gruppen von ihnen, die S.-Zellen (S.-Plätze), zugreifen zu können, verfügt ein S. über Adresseingänge. Jeder S.-Zelle, der kleinsten adressierbaren Einheit eines S. (i. Allg. aus 8 Bit = 1 Byte, einem S.-Wort, bestehend), ist eine Adresse zugeordnet.
Je nach Bauweise unterscheidet man S. v. a. hinsichtlich ihrer S.-Kapazität (Anzahl der verfügbaren S.-Zellen), ihrer Zugriffszeit (Zeitspanne zw. Anlegen der Adresse und Bereitstellen der damit angesprochenen Information) und hinsichtlich ihrer Zugriffsart, je nachdem, ob auf die S.-Zellen wahlfrei (direkt, z. B. bei Magnetkern-S.), zyklisch (zeitperiodisch, z. B. beim Magnetplatten-S.) oder sequenziell (z. B. beim Magnetband-S.) zugegriffen werden kann. Ein weiteres Unterscheidungsmerkmal ist die Flüchtigkeit von S. Im Ggs. zu stat. (nichtflüchtigen) S. müssen die Informationen bei dynam. (flüchtigen) S. nach einem bestimmten Zeitintervall (automatisch) neu in die S.-Zellen eingeschrieben werden.
Nach dem S.-Medium, dem eigtl. physikal. Informationsträger eines S., unterscheidet man neben magnet. S. (Magnetspeicher) und opt. S. (insbesondere den holograph. S.) die Halbleiter-S., die als integrierte Schaltungen realisiert sind. Bei den Halbleiter-Nur-Lese-S. (Festwert-S.) gibt es das maskenprogrammierte ROM (Abk. für read-only memory), es erhält seine Information beim letzten Maskierungsvorgang der Chip-Herstellung. Beim PROM (Abk. für programmable read-only memory) kann der Anwender mithilfe eines speziellen Programmiergerätes den Inhalt eingeben, der dann erhalten bleibt. Das EPROM (Abk. für erasable programmable read-only memory) und das EAROM (Abk. für electrically alterable read-only memory) erlauben ein Löschen und Neueinschreiben der Information; bei dem Erstgenannten wird durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht hoher Intensität, beim Letzteren durch elektr. Signale gelöscht. Als Sammelbez. wird auch der Begriff REPROM (Abk. für reprogrammable read-only memory) verwendet. Für Halbleiter-Schreib-Lese-S. ist die Bez. RAM (Abk. für random-access memory) gebräuchlich. Ein stat. RAM besitzt pro S.-Zelle ein Flipflop, ein dynam. RAM (DRAM, Abk. für dynamic random-access memory) verwendet Kapazitäten (Ladungsmengen) zur Informationsspeicherung. Abhängig davon, wie eng S. mit der Zentraleinheit eines Computers zusammenarbeiten, werden die S. in versch. hierarchisch organisierte S.-Ebenen unterteilt (S.-Hierarchie), zw. denen Programme und Daten transferiert werden: a) Primär-S.: Arbeits-S. des Prozessors, sehr schneller Halbleiter-S. mit direktem Zugriff (RAM); b) Sekundär-S.: Hintergrund-S. größerer Kapazität und mittlerer Zugriffszeit mit direktem bzw. zykl. Zugriff, Magnetplatten-S. (v. a. Festplatten-S.); c) Tertiär-S.:Massen-S., langsamer S. mit sequenziellem Zugriff (v. a. Magnetbandspeicher).
2) Datenverarbeitung: Funktionseinheit eines Computers, die Daten (Daten-S.) und Programme (Programm-S.) aufnimmt und später wieder bereitstellt. Heutige S. arbeiten ausschl. digital, d. h., sie bestehen aus einer Vielzahl einzelner S.-Elemente, von denen jedes nur zwei mögl. Zustände (0 und 1) annehmen und damit 1 Bit speichern kann. Um beim Schreiben (Einspeichern) oder Lesen (Abrufen) von Informationen gezielt auf bestimmte S.-Elemente bzw. Gruppen von ihnen, die S.-Zellen (S.-Plätze), zugreifen zu können, verfügt ein S. über Adresseingänge. Jeder S.-Zelle, der kleinsten adressierbaren Einheit eines S. (i. Allg. aus 8 Bit = 1 Byte, einem S.-Wort, bestehend), ist eine Adresse zugeordnet.
Je nach Bauweise unterscheidet man S. v. a. hinsichtlich ihrer S.-Kapazität (Anzahl der verfügbaren S.-Zellen), ihrer Zugriffszeit (Zeitspanne zw. Anlegen der Adresse und Bereitstellen der damit angesprochenen Information) und hinsichtlich ihrer Zugriffsart, je nachdem, ob auf die S.-Zellen wahlfrei (direkt, z. B. bei Magnetkern-S.), zyklisch (zeitperiodisch, z. B. beim Magnetplatten-S.) oder sequenziell (z. B. beim Magnetband-S.) zugegriffen werden kann. Ein weiteres Unterscheidungsmerkmal ist die Flüchtigkeit von S. Im Ggs. zu stat. (nichtflüchtigen) S. müssen die Informationen bei dynam. (flüchtigen) S. nach einem bestimmten Zeitintervall (automatisch) neu in die S.-Zellen eingeschrieben werden.
Nach dem S.-Medium, dem eigtl. physikal. Informationsträger eines S., unterscheidet man neben magnet. S. (Magnetspeicher) und opt. S. (insbesondere den holograph. S.) die Halbleiter-S., die als integrierte Schaltungen realisiert sind. Bei den Halbleiter-Nur-Lese-S. (Festwert-S.) gibt es das maskenprogrammierte ROM (Abk. für read-only memory), es erhält seine Information beim letzten Maskierungsvorgang der Chip-Herstellung. Beim PROM (Abk. für programmable read-only memory) kann der Anwender mithilfe eines speziellen Programmiergerätes den Inhalt eingeben, der dann erhalten bleibt. Das EPROM (Abk. für erasable programmable read-only memory) und das EAROM (Abk. für electrically alterable read-only memory) erlauben ein Löschen und Neueinschreiben der Information; bei dem Erstgenannten wird durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht hoher Intensität, beim Letzteren durch elektr. Signale gelöscht. Als Sammelbez. wird auch der Begriff REPROM (Abk. für reprogrammable read-only memory) verwendet. Für Halbleiter-Schreib-Lese-S. ist die Bez. RAM (Abk. für random-access memory) gebräuchlich. Ein stat. RAM besitzt pro S.-Zelle ein Flipflop, ein dynam. RAM (DRAM, Abk. für dynamic random-access memory) verwendet Kapazitäten (Ladungsmengen) zur Informationsspeicherung. Abhängig davon, wie eng S. mit der Zentraleinheit eines Computers zusammenarbeiten, werden die S. in versch. hierarchisch organisierte S.-Ebenen unterteilt (S.-Hierarchie), zw. denen Programme und Daten transferiert werden: a) Primär-S.: Arbeits-S. des Prozessors, sehr schneller Halbleiter-S. mit direktem Zugriff (RAM); b) Sekundär-S.: Hintergrund-S. größerer Kapazität und mittlerer Zugriffszeit mit direktem bzw. zykl. Zugriff, Magnetplatten-S. (v. a. Festplatten-S.); c) Tertiär-S.:Massen-S., langsamer S. mit sequenziellem Zugriff (v. a. Magnetbandspeicher).