Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
Quanten-Hall-Effekt
Quạnten-Hall-Effekt [-'hɔ:l-], 1980 von K. von Klitzing entdeckter Effekt, der bei tiefen Temperaturen und hohen äußeren Magnetfeldern in quasi-zweidimensionalen Elektronensystemen (z. B. an der Übergangsschicht in einem MOSFET) auftritt. Dabei zeigt der Hall-Widerstand RH (Hall-Effekt) in Abhängigkeit vom Magnetfeld charakterist. Stufen (Plateaus). RH ist vom Material, von der Probengeometrie u. a. Größen unabhängig und nur von den Naturkonstanten e (Elementarladung) und h (plancksches Wirkungsquantum) bestimmt. Er ist in Einheiten von h/e2 quantisiert und kann beim ganzzahligen Q.-H.-E. die Werte RH = h/ne2 (n = 1, 2, ...) annehmen. Die Entstehung des Q.-H.-E. ist noch nicht umfassend geklärt. Bei sehr tiefen Temperaturen und sehr hoher Beweglichkeit der Elektronen im Material ist ein fraktionaler Q.-H.-E. beobachtbar, bei dem n eine gebrochene Zahl ist.
Quạnten-Hall-Effekt [-'hɔ:l-], 1980 von K. von Klitzing entdeckter Effekt, der bei tiefen Temperaturen und hohen äußeren Magnetfeldern in quasi-zweidimensionalen Elektronensystemen (z. B. an der Übergangsschicht in einem MOSFET) auftritt. Dabei zeigt der Hall-Widerstand RH (Hall-Effekt) in Abhängigkeit vom Magnetfeld charakterist. Stufen (Plateaus). RH ist vom Material, von der Probengeometrie u. a. Größen unabhängig und nur von den Naturkonstanten e (Elementarladung) und h (plancksches Wirkungsquantum) bestimmt. Er ist in Einheiten von h/e2 quantisiert und kann beim ganzzahligen Q.-H.-E. die Werte RH = h/ne2 (n = 1, 2, ...) annehmen. Die Entstehung des Q.-H.-E. ist noch nicht umfassend geklärt. Bei sehr tiefen Temperaturen und sehr hoher Beweglichkeit der Elektronen im Material ist ein fraktionaler Q.-H.-E. beobachtbar, bei dem n eine gebrochene Zahl ist.