Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
Magnetblasenspeicher
Magnetblasenspeicher(engl. bubble memory), magnet. Speicher zur Speicherung binärer Informationen. Der M. besteht aus einem unmagnet. Trägermaterial (Granat), auf dem eine dünne, mit Eisen dotierte Granatschicht (magnet. Trägermaterial) durch Epitaxie abgeschieden wurde. In dieser Schicht können durch Anlegen eines äußeren Magnetfeldes kleine, magnetisierte Bereiche von einigen Mikrometern Durchmesser (Magnetblasen) gespeichert und bewegt werden. Diese Magnetblasen lassen sich durch den Feldgradienten eines rotierenden Magnetfeldes (Feldlinien parallel zur Schichtebene) entlang bestimmten, durch gekreuzte Metallstreifen aus Permalloy auf dem magnet. Trägermaterial festgelegten Wegen verschieben. Weitere Permalloystreifen, in denen die Magnetblasen beim Vorbeiwandern kleine Änderungen des elektr. Leitwerts verursachen, dienen zum Auslesen der Information. Die Existenz einer Blase auf einem bestimmten Platz im Speicher wird als binäre »1«, das Fehlen als »0« interpretiert. - In der Anwendung haben M. bislang keine Rolle gespielt. Ihre Vorteile, wie hohe Zuverlässigkeit (permanente Informationsspeicherung auch bei Ausfall der Versorgungsspannung) und Verschleißfreiheit (keine mechanisch bewegten Teile), werden ebenfalls durch Halbleiterspeicher (z. B. EEPROM) erreicht, die wesentlich kostengünstiger herzustellen sind.
Magnetblasenspeicher(engl. bubble memory), magnet. Speicher zur Speicherung binärer Informationen. Der M. besteht aus einem unmagnet. Trägermaterial (Granat), auf dem eine dünne, mit Eisen dotierte Granatschicht (magnet. Trägermaterial) durch Epitaxie abgeschieden wurde. In dieser Schicht können durch Anlegen eines äußeren Magnetfeldes kleine, magnetisierte Bereiche von einigen Mikrometern Durchmesser (Magnetblasen) gespeichert und bewegt werden. Diese Magnetblasen lassen sich durch den Feldgradienten eines rotierenden Magnetfeldes (Feldlinien parallel zur Schichtebene) entlang bestimmten, durch gekreuzte Metallstreifen aus Permalloy auf dem magnet. Trägermaterial festgelegten Wegen verschieben. Weitere Permalloystreifen, in denen die Magnetblasen beim Vorbeiwandern kleine Änderungen des elektr. Leitwerts verursachen, dienen zum Auslesen der Information. Die Existenz einer Blase auf einem bestimmten Platz im Speicher wird als binäre »1«, das Fehlen als »0« interpretiert. - In der Anwendung haben M. bislang keine Rolle gespielt. Ihre Vorteile, wie hohe Zuverlässigkeit (permanente Informationsspeicherung auch bei Ausfall der Versorgungsspannung) und Verschleißfreiheit (keine mechanisch bewegten Teile), werden ebenfalls durch Halbleiterspeicher (z. B. EEPROM) erreicht, die wesentlich kostengünstiger herzustellen sind.