Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
MNOSFET
MNỌSFET[Abk. für engl. metal nitride oxide semiconductor field effect transistor, »Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor«], ein Feldeffekttransistor (Transistor) in MIS-Technik mit Speichereigenschaften; seine Bez. beruht auf der Isolierung der Gate-Elektrode durch eine Siliciumnitrid-Siliciumoxid-Doppelschicht. Durch entsprechende Spannungsimpulse am Gate können Ladungen in die Grenzfläche zw. den beiden Isolierschichten eingebracht bzw. aus ihr entfernt werden. Da eine Ladung zw. den Isolierschichten die Kanalbildung beeinflusst, kann durch sie der Kanalzustand ohne Spannungsversorgung sehr lange (bis zu einigen Jahren) erhalten werden. Auf der hierdurch verursachten Veränderung der Schwellenspannung beruht die Eignung des M. als Speicherelement. In Verbindung mit CCD-Strukturen gewinnt der M. zunehmend an Bedeutung für die analoge Signalverarbeitung (z. B. programmierbare Filter, Fourier-Transformation).
MNỌSFET[Abk. für engl. metal nitride oxide semiconductor field effect transistor, »Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor«], ein Feldeffekttransistor (Transistor) in MIS-Technik mit Speichereigenschaften; seine Bez. beruht auf der Isolierung der Gate-Elektrode durch eine Siliciumnitrid-Siliciumoxid-Doppelschicht. Durch entsprechende Spannungsimpulse am Gate können Ladungen in die Grenzfläche zw. den beiden Isolierschichten eingebracht bzw. aus ihr entfernt werden. Da eine Ladung zw. den Isolierschichten die Kanalbildung beeinflusst, kann durch sie der Kanalzustand ohne Spannungsversorgung sehr lange (bis zu einigen Jahren) erhalten werden. Auf der hierdurch verursachten Veränderung der Schwellenspannung beruht die Eignung des M. als Speicherelement. In Verbindung mit CCD-Strukturen gewinnt der M. zunehmend an Bedeutung für die analoge Signalverarbeitung (z. B. programmierbare Filter, Fourier-Transformation).