Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
Lumineszenzdiode
Lumineszẹnzdiode(Leuchtdiode, LED), Halbleiterdiode, die im Bereich des pn-Übergangs spontane Lumineszenzstrahlung emittiert, wenn ein Strom in Durchlassrichtung fließt (Halbleiter). Die angelegte Spannung bewirkt eine erhöhte Zahl wandernder Elektronen vom n-Gebiet und Löcher vom p-Gebiet in den Bereich des pn-Übergangs, wo sie rekombinieren. Da die Elektronen dabei vom Leitungsband in das energetisch niedriger liegende Valenzband wechseln, wird ein bestimmter Betrag an Energie freigesetzt, der als sichtbares oder infrarotes Licht abgestrahlt wird. Die Wellenlänge des emittierten Lichts hängt von der Größe der durch die Grundsubstanz und die Dotierung festgelegten Energiebandlücke ab. L. sind meist sog. III-V-Verbindungen, da sie aus Elementen der 3. und 5. Gruppe des Periodensystems bestehen. Typ. Vertreter sind u. a. Galliumarsenid (GaAs), Galliumphosphid (GaP), Galliumnitrid (GaN), die vielfach mit Fremdatomen (z. B. Silicium, Stickstoff) dotiert werden, um die Effektivität der Energieumwandlung zu erhöhen. Die Leuchtdichte ist über einen weiten Bereich zum Durchlassstrom proportional. L. werden eingesetzt als Anzeigeelement (z. B. in Uhren, Taschenrechnern, elektron. Messgeräten), als Sender für optoelektron. Nachrichtensysteme mit Lichtleitern (Optoelektronik) und in Optokopplern.
Lumineszẹnzdiode(Leuchtdiode, LED), Halbleiterdiode, die im Bereich des pn-Übergangs spontane Lumineszenzstrahlung emittiert, wenn ein Strom in Durchlassrichtung fließt (Halbleiter). Die angelegte Spannung bewirkt eine erhöhte Zahl wandernder Elektronen vom n-Gebiet und Löcher vom p-Gebiet in den Bereich des pn-Übergangs, wo sie rekombinieren. Da die Elektronen dabei vom Leitungsband in das energetisch niedriger liegende Valenzband wechseln, wird ein bestimmter Betrag an Energie freigesetzt, der als sichtbares oder infrarotes Licht abgestrahlt wird. Die Wellenlänge des emittierten Lichts hängt von der Größe der durch die Grundsubstanz und die Dotierung festgelegten Energiebandlücke ab. L. sind meist sog. III-V-Verbindungen, da sie aus Elementen der 3. und 5. Gruppe des Periodensystems bestehen. Typ. Vertreter sind u. a. Galliumarsenid (GaAs), Galliumphosphid (GaP), Galliumnitrid (GaN), die vielfach mit Fremdatomen (z. B. Silicium, Stickstoff) dotiert werden, um die Effektivität der Energieumwandlung zu erhöhen. Die Leuchtdichte ist über einen weiten Bereich zum Durchlassstrom proportional. L. werden eingesetzt als Anzeigeelement (z. B. in Uhren, Taschenrechnern, elektron. Messgeräten), als Sender für optoelektron. Nachrichtensysteme mit Lichtleitern (Optoelektronik) und in Optokopplern.