Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
Kristallzüchtung
Kristạllzüchtung,die synthet. Herstellung von Einkristallen für wiss. und techn. Zwecke, z. B. von Siliciumkristallen für Transistoren und integrierte Schaltkreise, von Industriediamanten für die Materialbearbeitung, von Quarz für die Frequenzstabilisierung von elektr. Schwingkreisen oder von opt. Kristallen für die Lasertechnik und nichtlineare Optik. - Die K. aus der flüssigen Phase (Schmelzziehverfahren) geht von in die Schmelze eingebrachten Keimen (sog. Impfkristallen) aus. Beim Czochralski-Verfahren werden zylindr. Einkristalle (z. B. von Germanium) durch gleichförmiges Herausziehen aus der Schmelze gewonnen. Beim Bridgman-Verfahren wächst der Einkristall in der zur Schmelztiegelbewegung entgegengesetzten Richtung. Rubine und Spinelle werden nach dem Verneuil-Verfahren gezüchtet, bei dem das feinkörnige Ausgangsmaterial in einer Knallgasflamme geschmolzen wird. Der Einkristall wächst durch Absenken eines Schamottestiftes. Beim tiegelfreien Zonenschmelzverfahren (v. a. zur Reinigung von Silicium und Germanium) wird durch einen zylindr. kristallinen Stab eine schmale Schmelzzone gezogen. - Die K. aus der Gasphase (z. B. durch Molekularstrahlepitaxie) erfolgt durch Sublimation fester Substanzen und anschließende Kondensation. (Epitaxie)
Kristạllzüchtung,die synthet. Herstellung von Einkristallen für wiss. und techn. Zwecke, z. B. von Siliciumkristallen für Transistoren und integrierte Schaltkreise, von Industriediamanten für die Materialbearbeitung, von Quarz für die Frequenzstabilisierung von elektr. Schwingkreisen oder von opt. Kristallen für die Lasertechnik und nichtlineare Optik. - Die K. aus der flüssigen Phase (Schmelzziehverfahren) geht von in die Schmelze eingebrachten Keimen (sog. Impfkristallen) aus. Beim Czochralski-Verfahren werden zylindr. Einkristalle (z. B. von Germanium) durch gleichförmiges Herausziehen aus der Schmelze gewonnen. Beim Bridgman-Verfahren wächst der Einkristall in der zur Schmelztiegelbewegung entgegengesetzten Richtung. Rubine und Spinelle werden nach dem Verneuil-Verfahren gezüchtet, bei dem das feinkörnige Ausgangsmaterial in einer Knallgasflamme geschmolzen wird. Der Einkristall wächst durch Absenken eines Schamottestiftes. Beim tiegelfreien Zonenschmelzverfahren (v. a. zur Reinigung von Silicium und Germanium) wird durch einen zylindr. kristallinen Stab eine schmale Schmelzzone gezogen. - Die K. aus der Gasphase (z. B. durch Molekularstrahlepitaxie) erfolgt durch Sublimation fester Substanzen und anschließende Kondensation. (Epitaxie)