Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
HEMT
HEMT[eɪtʃi:em'ti:; Abk. für engl. high electron mobility transistor, »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«], ein Feldeffekttransistor (Transistor) mit künstl. Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz-Halbleiterbauelemente. Beim HEMT ist der Kanal undotiert, sodass die Elektronen im Kanal eine hohe Beweglichkeit aufweisen. Die Ladungsträger werden von den Donatoren der n-dotierten Schicht geliefert und bilden eine dünne Schicht Leitungselektronen hoher Konzentration (zweidimensionales Elektronengas). HEMT eignen sich für Gigabitanwendungen.
HEMT[eɪtʃi:em'ti:; Abk. für engl. high electron mobility transistor, »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«], ein Feldeffekttransistor (Transistor) mit künstl. Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz-Halbleiterbauelemente. Beim HEMT ist der Kanal undotiert, sodass die Elektronen im Kanal eine hohe Beweglichkeit aufweisen. Die Ladungsträger werden von den Donatoren der n-dotierten Schicht geliefert und bilden eine dünne Schicht Leitungselektronen hoher Konzentration (zweidimensionales Elektronengas). HEMT eignen sich für Gigabitanwendungen.