Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
Diode
Diode[grch.] die, Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen. D. haben eine ausgeprägte Stromrichtungsabhängigkeit (»Ventilwirkung«): In Durchlassrichtung betrieben, fließt bei zunehmender zw. den beiden Anschlüssen angelegter Spannung ein stark ansteigender Durchlassstrom, in Sperrrichtung fließt nur ein sehr geringer Sperrstrom, der erst bei Überschreiten eines bestimmten Grenzwertes steil ansteigt. Verantwortlich für den Leitungsmechanismus ist der im Halbleiterkristall durch Dotierung gebildete pn-Übergang. Zur Herstellung sind bes. Silicium, daneben Germanium, Galliumarsenid, Galliumphosphid u. a. Verbindungshalbleiter geeignet. Die gleiche Ventilwirkung wie beim pn-Übergang im Kristall erzielt man auch durch einen Metall-Halbleiter-Kontakt (z. B. Schottky-D.). Anwendungen: Gleichrichtung von Wechselströmen (Gleichrichter-D.), Spannungsstabilisierung und Signalbegrenzung (Z-D.), im Mikrowellenbereich (Tunnel-D., IMPATT-D., Gunn-D.), für optoelektron. Zwecke (Lumineszenz-D., Laser-D., Photo-D.) sowie für spezielle Anwendungen (Backward-D., Kapazitäts-D., Magnet-D., Vierschicht-D.) Früher Bez. für die zur Gleichrichtung benutzte Elektronenröhre ohne Gitter (Röhren-D.), deren geheizte Kathode im Vakuum Elektronen zur Anode sendet.
Diode[grch.] die, Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen. D. haben eine ausgeprägte Stromrichtungsabhängigkeit (»Ventilwirkung«): In Durchlassrichtung betrieben, fließt bei zunehmender zw. den beiden Anschlüssen angelegter Spannung ein stark ansteigender Durchlassstrom, in Sperrrichtung fließt nur ein sehr geringer Sperrstrom, der erst bei Überschreiten eines bestimmten Grenzwertes steil ansteigt. Verantwortlich für den Leitungsmechanismus ist der im Halbleiterkristall durch Dotierung gebildete pn-Übergang. Zur Herstellung sind bes. Silicium, daneben Germanium, Galliumarsenid, Galliumphosphid u. a. Verbindungshalbleiter geeignet. Die gleiche Ventilwirkung wie beim pn-Übergang im Kristall erzielt man auch durch einen Metall-Halbleiter-Kontakt (z. B. Schottky-D.). Anwendungen: Gleichrichtung von Wechselströmen (Gleichrichter-D.), Spannungsstabilisierung und Signalbegrenzung (Z-D.), im Mikrowellenbereich (Tunnel-D., IMPATT-D., Gunn-D.), für optoelektron. Zwecke (Lumineszenz-D., Laser-D., Photo-D.) sowie für spezielle Anwendungen (Backward-D., Kapazitäts-D., Magnet-D., Vierschicht-D.) Früher Bez. für die zur Gleichrichtung benutzte Elektronenröhre ohne Gitter (Röhren-D.), deren geheizte Kathode im Vakuum Elektronen zur Anode sendet.