Meyers Großes Taschenlexikon in 25 Bänden
CMOS-Technik
CMOS-Technik[CMOS, Abk. für engl. complementary metal oxide semiconductor], in der Halbleitertechnologie und Mikroelektronik Bez. für eine Variante der MOS-Technik zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen, bei der auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat ein oder mehrere CMOS-Feldeffekttransistoren erzeugt werden, die aus einem MIS-Feldeffekttransistor (FET) mit p-Kanal und einem dazu komplementären MIS-Feldeffekttransistor mit n-Kanal bestehen. Bei positiver Spannung an den Toren (Gates) leitet der n-Kanal-FET, bei negativer Spannung der p-Kanal-FET. Da beide Transistoren stets im Wechsel sperren und leiten, fließt praktisch kein Ruhestrom; nur während des Umschaltens sind sie kurzzeitig beide leitend, sodass ein nennenswerter Strom fließt. Derartige CMOS-Feldeffekttransistoren bzw. -Schaltungen zeichnen sich durch bes. geringen Leistungsbedarf, durch geringe Störempfindlichkeit und hohe Temperaturstabilität sowie durch hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit und großen Versorgungsspannungsbereich aus.
▣ Literatur:
CMOS-Taschenbuch, 2 Bde. Vaterstetten 5-111994.
CMOS-Technik[CMOS, Abk. für engl. complementary metal oxide semiconductor], in der Halbleitertechnologie und Mikroelektronik Bez. für eine Variante der MOS-Technik zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen, bei der auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat ein oder mehrere CMOS-Feldeffekttransistoren erzeugt werden, die aus einem MIS-Feldeffekttransistor (FET) mit p-Kanal und einem dazu komplementären MIS-Feldeffekttransistor mit n-Kanal bestehen. Bei positiver Spannung an den Toren (Gates) leitet der n-Kanal-FET, bei negativer Spannung der p-Kanal-FET. Da beide Transistoren stets im Wechsel sperren und leiten, fließt praktisch kein Ruhestrom; nur während des Umschaltens sind sie kurzzeitig beide leitend, sodass ein nennenswerter Strom fließt. Derartige CMOS-Feldeffekttransistoren bzw. -Schaltungen zeichnen sich durch bes. geringen Leistungsbedarf, durch geringe Störempfindlichkeit und hohe Temperaturstabilität sowie durch hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit und großen Versorgungsspannungsbereich aus.
▣ Literatur:
CMOS-Taschenbuch, 2 Bde. Vaterstetten 5-111994.